在晶圓CVD工藝中，濕度發生器主要用于那些將水汽作為工藝有益變量的應用場景，即水汽作為必要的反應組分或用于主動調控薄膜的關鍵性能參數（如應力、介電常數和孔隙率）。此類工藝要求濕度發生器能夠實現精準、穩定且潔凈的水汽供給。

一、 低溫氧化硅（SiO?）沉積：解決 “低溫反應效率與薄膜質量平衡" 問題

氧化硅作為晶圓關鍵絕緣層材料（例如層間介質層與鈍化層），在高溫（>800℃）條件下沉積容易對已形成的低溫器件（如MEMS或CMOS晶體管）造成損傷，因此需開發低溫CVD氧化硅工藝（<400℃）。低溫環境下反應活性不足，必須引入水汽作為反應促進劑與薄膜質量調節劑，濕度發生器因此成為關鍵工藝裝備。

典型工藝：TEOS - 臭氧（O?）低溫氧化硅

用于晶圓級封裝（WLP）的鈍化層、MEMS 器件的表面絕緣層，需在低溫下（250-350℃）沉積致密氧化硅，避免高溫破壞封裝結構或 MEMS 微機械部件。

水汽的核心作用：

加速反應：在低溫條件下，TEOS與O?反應緩慢，水汽可通過水解作用斷裂TEOS中的Si–O–C?H?鍵，生成Si–OH中間體，顯著提高SiO?的沉積速率（無水汽時沉積速率可能下降超過50%）；

優化薄膜質量：通過精確控制水汽濃度，可有效降低薄膜中羥基（–OH）殘留量，避免因–OH含量過高而降低絕緣性能，同時提高薄膜致密性，使其介電常數穩定在3.9–4.1，接近熱氧化硅水平。

濕度發生器要求：需將水汽濃度精確控制在500 ppm - 5000 ppm（對應濕度約 10%-50% RH，25℃下），精度 ±2%，且水汽需與 TEOS、O?按比例混合后通入反應腔，避免局部濃度波動。

二、 低應力氮化硅（Si?N?）沉積：緩解薄膜應力引起的器件失效。

氮化硅常用作晶圓的耐磨與耐腐蝕保護層（如芯片表面鈍化或MEMS結構層），但傳統PECVD工藝所制備的氮化硅通常呈現高拉應力（1–3 GPa），易導致晶圓翹曲或薄膜開裂，尤其在大尺寸晶圓或薄襯底中更為顯著。引入微量水汽可主動調控薄膜應力，濕度發生器是實現該工藝的核心設備。

典型工藝：PECVD低應力氮化硅

用于柔性顯示驅動芯片的鈍化層、MEMS 懸臂梁 / 薄膜傳感器的結構層，需氮化硅薄膜兼具高硬度和低應力（<500 MPa，甚至壓應力），避免器件變形或斷裂。

水汽的核心作用：

應力調節：水汽中的 H 原子會嵌入氮化硅的 Si-N 鍵網絡，削弱原子間的結合力，使薄膜從 “拉應力" 轉為 “低拉應力甚至弱壓應力"（如應力從 2 GPa 降至 300 MPa）；

改善臺階覆蓋：微量水汽可提升等離子體中活性物種（如 SiH?、NH?）的擴散能力，使氮化硅在晶圓的溝槽、通孔等復雜結構上均勻沉積，覆蓋性提升 10%-20%。

濕度發生器要求：水汽濃度需嚴格控制在100 ppm - 500 ppm（過高會導致氮化硅介電常數升高、耐腐蝕性下降），且需與 SiH?、NH?、N?的流量聯動調節，確保應力與介電性能平衡。

三、 MEMS 器件特殊功能薄膜沉積：定制化調節薄膜 “敏感特性"

MEMS器件的核心性能依賴于“功能薄膜的環境影響特性"，而濕度是調控這些特性的關鍵變量——濕度發生器需模擬特定濕度環境，使薄膜形成符合需求的微觀結構（如孔隙率、親疏水性）。

場景1：MEMS 濕度傳感器的敏感層沉積

濕度傳感器的核心是 “吸濕后電阻 / 電容變化的敏感層"（如聚酰亞胺、氧化石墨烯、TiO?納米薄膜），需通過 CVD 沉積時的濕度控制，確保敏感層對濕度的線性響應（0%-100% RH）。

水汽的核心作用

調節孔隙率：沉積過程中引入的水汽會在薄膜中形成 “微孔洞"（水汽揮發后留下），孔洞越多，吸濕面積越大，傳感器靈敏度越高（如孔隙率從 10% 提升至 30%，靈敏度提升 2-3 倍）；

優化吸附位點：水汽可使敏感層表面生成更多羥基（-OH），增強對水分子的吸附能力，確保在低濕度環境（<10% RH）下仍有穩定響應。

濕度發生器要求：需支持0%-95% RH 的寬范圍濕度調節（對應水汽濃度 0-30000 ppm），且可動態切換濕度，模擬不同環境下的沉積效果，確保傳感器的一致性。

場景2：MEMS微流控芯片的親疏水涂層沉積

微流控芯片的通道需根據需求實現 “親水"（如液體快速流動）或 “疏水"（如液滴操控），通過 CVD 沉積氟碳膜（疏水）或氧化硅膜（親水）時，濕度可調節涂層的表面能。

水汽的核心作用：

親水涂層：沉積氧化硅時引入水汽，可增加涂層表面的羥基密度，使表面能從 30 mN/m 提升至 70 mN/m（接觸角從 60° 降至 20° 以下），實現液體流動；

疏水涂層：沉積氟碳膜（如 CF?等離子體輔助 CVD）時，微量水汽（<50 ppm）可抑制涂層過度交聯，保留表面的氟基團（-CF?），使接觸角維持在 110°-130°，避免液體黏附。

四、 新興二維材料（如 MoS?、WS?）的 CVD 生長：調控晶界與缺陷

二維材料（如二硫化鉬、二硫化鎢）是下一代芯片的候選溝道材料，其電學性能（如載流子遷移率）高度依賴 “單晶域大小與缺陷密度"—— 沉積過程中引入微量水汽，可抑制缺陷生成，而濕度發生器是實現水汽精確控制的手段（自然濕度波動會導致晶界增多）。

典型工藝：CVD 生長大面積單晶 MoS?

MoS?的載流子遷移率在單晶區域可達 200 cm2/(V?s)，但多晶區域因晶界存在，遷移率會降至 50 cm2/(V?s) 以下，需通過濕度控制減少晶界。

水汽的核心作用

抑制副反應：MoS?的 CVD 原料為 MoO?（鉬源）和 H?S（硫源），高溫下（700-800℃）MoO?易與襯底（如 SiO?/Si）反應生成 Mo-Si-O 雜質相；水汽可優先與 MoO?反應生成易揮發的 MoO?(OH)?，減少雜質，提升單晶純度；

促進晶粒生長：微量水汽（50-200 ppm）可降低 MoS?的成核密度，使單個晶粒尺寸從幾微米擴大至幾十微米，減少晶界數量，提升電學性能。

濕度發生器要求：需提供ppb 級至低 ppm 級的精準控濕（50-200 ppm），且水汽需與 H?S、Ar（載氣）嚴格配比，避免過量水汽導致 MoS?氧化。

總結：濕度發生器在CVD應用中的共性與核心價值

上述場景的共同特點是：水汽是 “主動調控工藝的有益變量"，而非被動引入的雜質。濕度發生器的核心價值在于：

實現精準控濕：提供半導體級別的濕度控制（ppm/ppb級精度），克服自然環境波動對工藝穩定性的影響；

定制薄膜性能：通過調控濕度，實現對薄膜應力、介電常數、靈敏度等關鍵參數的定向優化，滿足MEMS傳感器、柔性芯片等特定器件需求；

保障工藝潔凈：提供無油、無顆粒、無金屬離子的高純水汽，避免污染引入，保障晶圓良率（符合SEMI F47等相關半導體標準）。

濕度發生器并非通用型CVD設備，而是面向那些依賴水汽調控的特定工藝（如低溫絕緣層、低應力結構層、功能敏感層等）的專用工藝裝備。